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QH8MA3TCR备选型号: ECH8659-M-TL-H
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N/P-CH 30V TSMT820 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat LeadSILICON7A 5.5A150°C TJCut Tape (CT)2015活跃1 (Unlimited)8EAR991.5WDUAL未说明not_compliant未说明R-PDSO-F8SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING29m Ω @ 7A, 10V2.5V @ 1mA300pF @ 15V7.2nC @ 10V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL5.5A0.029Ohm18A30V1.8 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant--------
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin ECH T/R-表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead-43 ns150°C TJTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)--1.5W-------2 N-Channel (Dual)-24m Ω @ 3.5A, 10V-710pF @ 10V11.8nC @ 10V30V-7A-----Logic Level Gate, 4V Drive符合RoHS标准810 ns无卤素25ns25 ns20V无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCH6431-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 | 对比 |
| MCH6436-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6 | 对比 |
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