QH8MA4TCR备选型号: ECH8697R-TL-W
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 30V TSMT820 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead2SILICON9A 8A150°C TJCut Tape (CT)2015活跃1 (Unlimited)8EAR991.5WDUAL未说明未说明R-PDSO-F8增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING16m Ω @ 9A, 10V2.5V @ 1mA640pF @ 15V15.5nC @ 10V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL8A0.016Ohm30V3.5 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-------------
- MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-2820 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead--19.7 μs150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)-EAR991.5W-----2 N-Channel (Dual) Common Drain-11.6m Ω @ 5A, 4.5V--6nC @ 4.5V24V-10A----Logic Level Gate, 2.5V DriveROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)e6yesTin/Bismuth (Sn/Bi)not_compliant2Dual160 ns230ns23.6 μs12.5V24V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMH2418R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL | 对比 |



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