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QS5Y1TR备选型号: QSL12TR
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 极性
- 元素配置
- 增益带宽积
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT520 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5SILICON30V150°C TJCut Tape (CT)2011活跃1 (Unlimited)5EAR991.25WDUAL鸥翼未说明not_compliant未说明5R-PDSO-G5COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS1.25WSWITCHINGNPN和PNPNPN, PNP (Emitter Coupled)400mV3A200 @ 500mA 2V1μA ICBO400mV @ 50mA, 1A270MHz30V300MHz 270MHzROHS3 Compliant无铅------------- TRANS NPN 30V 1A TSMT520 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5SILICON30V150°C TJTape & Reel (TR)2005不用于新设计1 (Unlimited)5EAR99500mWDUAL鸥翼260-105---SWITCHING-NPN + Diode (Isolated)30V1A270 @ 100mA 2V100nA ICBO350mV @ 25mA, 500mA320MHz--ROHS3 Compliant-5120mVe1yes锡银铜NPNSingle320MHz30V6V1A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| QSZ2TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT | 对比 |
| QSL12TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN 30V 1A TSMT5 | 对比 |
| QS5W1TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5 | 对比 |
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