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QS8J1TR备选型号: DMN1032UCB4-7
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- Vgs（最大值）
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT852 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2008e2yes不用于新设计1 (Unlimited)8EAR99锡铜1.25W26010*J18SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.5W12 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING29m Ω @ 4.5A, 4.5V1V @ 1mA2450pF @ 6V31nC @ 4.5V75ns12V215 ns4.5A10V0.029Ohm-12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W34 Weeks表面贴装表面贴装4-UFBGA, WLBGA4SILICON4.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e1-活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-未说明未说明---增强型MOSFET-3.3 nsN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 1A, 4.5V1.2V @ 250μA450pF @ 6V4.5nC @ 4.5V5.6ns-9 ns4.8A8V0.038Ohm12V---ROHS3 Compliant-HIGH RELIABILITYBOTTOMBALL1Single±8V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|
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