Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7
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DMN1032UCB4-7
671-DMN1032UCB4-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-UFBGA, WLBGA
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MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
--最小包装量--
DMN1032UCB4-7详情
Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
34 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-UFBGA, WLBGA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
900mW Ta
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
3.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
450pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.5nC @ 4.5V
上升时间
5.6ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
4.8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.038Ohm
漏源击穿电压
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN1032UCB4-7拓展信息
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