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首页 全部分类 QS8J5TR vs MCH6436-TL-W

QS8J5TR备选型号: MCH6436-TL-W

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 附加功能
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ROHM Semiconductor
    QS8J5TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    600mW
    260
    10
    8
    2
    增强型MOSFET
    9 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    39m Ω @ 5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1100pF @ 10V
    19nC @ 10V
    40ns
    30V
    55 ns
    5A
    20V
    5A
    0.039Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6436-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    6A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    34m Ω @ 3A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    710pF @ 10V
    7.5nC @ 4.5V
    33ns
    30V
    52 ns
    6A
    20V
    6A
    0.034Ohm
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    防静电
    DUAL
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±12V
    24A
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