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首页 全部分类 QS8K13TCR vs ECH8659-M-TL-H

QS8K13TCR备选型号: ECH8659-M-TL-H

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    QS8K13TCR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    550mW
    260
    10
    8
    R-PDSO-F8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    550mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    28m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 1mA
    390pF @ 10V
    20nC @ 10V
    30V
    6A
    6A
    0.039Ohm
    18A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8659-M-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin ECH T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    43 ns
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.5W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    24m Ω @ 3.5A, 10V
    -
    710pF @ 10V
    11.8nC @ 10V
    30V
    7A
    -
    -
    -
    -
    -
    Logic Level Gate, 4V Drive
    符合RoHS标准
    8
    10 ns
    无卤素
    25ns
    25 ns
    20V
    无
    无铅
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