ROHM Semiconductor QS8K13TCR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2012

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最大功率耗散

550mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

550mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

390pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

6A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.039Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant