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QS8K21TR备选型号: MCH6341-TL-W

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • Vgs（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    QS8K21TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    550mW
    260
    10
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    53m Ω @ 4A, 10V
    2.5V @ 1mA
    460pF @ 10V
    5.4nC @ 5V
    25ns
    45V
    7 ns
    4A
    20V
    4A
    0.075Ohm
    45V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6341-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 5A 6-Pin MCPH T/R
    36 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    -
    5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.5W
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    7.5 ns
    P-Channel
    -
    59m Ω @ 3A, 10V
    2.6V @ 1mA
    430pF @ 10V
    10nC @ 10V
    26ns
    30V
    35 ns
    5A
    20V
    -
    -
    -30V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    ±20V
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