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首页 全部分类 QS8M12TCR vs NTHS4501NT1

QS8M12TCR备选型号: NTHS4501NT1

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  • ECCN 代码
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    QS8M12TCR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铜
    1.5W
    DUAL
    260
    10
    *M12
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    SWITCHING
    42m Ω @ 4A, 10V
    2.5V @ 1mA
    250pF @ 10V
    3.4nC @ 5V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    4A
    20V
    4A
    0.063Ohm
    12A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS4501NT1
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e0
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    DUAL
    240
    30
    -
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 4.9A, 10V
    2V @ 250μA
    462pF @ 24V
    9.1nC @ 10V
    -
    -
    4.9A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    逻辑电平兼容
    30V
    C 弯管
    not_compliant
    4.9A
    不合格
    1.3W
    11ns
    ±20V
    11 ns
    30V
    含铅
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