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首页 全部分类 QS8M51TR vs MCH3375-TL-W

QS8M51TR备选型号: MCH3375-TL-W

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • Vgs（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    QS8M51TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2A 1.5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1.5W
    DUAL
    *M51
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    325m Ω @ 2A, 10V
    2.5V @ 1mA
    290pF @ 25V
    4.7nC @ 5V
    100V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.5A
    20V
    2A
    0.355Ohm
    6A
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3375-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    SILICON
    1.6A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    295m Ω @ 800mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    82pF @ 10V
    2.2nC @ 10V
    30V
    -
    1.6A
    -
    -
    0.295Ohm
    -
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    e6
    yes
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    R-PDSO-F3
    ±20V
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MCH3375-TL-W MCH3375-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-SMD, Flat Lead MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3 对比