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首页 全部分类 R5009FNJTL vs FDY3000NZ

R5009FNJTL备选型号: FDY3000NZ

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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    R5009FNJTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9A LPT
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    83
    SILICON
    9A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    840m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 1mA
    630pF @ 25V
    18nC @ 10V
    500V
    ±30V
    9A
    9A
    0.84Ohm
    36A
    500V
    5.4 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY3000NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    700m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.1nC @ 4.5V
    -
    -
    600mA
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    32mg
    PowerTrench®
    e3
    yes
    SMD/SMT
    EAR99
    700MOhm
    Tin (Sn)
    ESD PROTECTION
    625mW
    2
    Dual
    625mW
    6 ns
    446mW
    8ns
    8 ns
    1V
    12V
    20V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1 V
    700μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    无铅
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FDY4000CZ FDY4000CZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-563, SOT-666 MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 对比