ON Semiconductor FDY3000NZ
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FDY3000NZ
1807-FDY3000NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
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MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
--最小包装量--
FDY3000NZ详情
ON Semiconductor FDY3000NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
32mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
700MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION
最大功率耗散
625mW
终端形式
FLAT
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
625mW
接通延迟时间
6 ns
功率 - 最大
446mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
700m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
60pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.1nC @ 4.5V
上升时间
8ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
600mA
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
1 V
高度
700μm
长度
1.6mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDY3000NZ拓展信息









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