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首页 全部分类 R6004ENX vs STF9N65M2

R6004ENX备选型号: STF9N65M2

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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • ROHM Semiconductor
    R6004ENX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    4A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    980m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 1mA
    250pF @ 25V
    15nC @ 10V
    600V
    ±20V
    4A
    4V
    TO-220AB
    4A
    0.98Ohm
    8A
    600V
    46 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF9N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STF9N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    315pF @ 100V
    10nC @ 10V
    650V
    ±25V
    5A
    3V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    MDmesh™
    EAR99
    790mOhm
    STF9
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