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R6007ENJTL备选型号: FDY102PZ
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 7A LPT20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB83SILICON7A Tc150°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING620m Ω @ 2.4A, 10V4V @ 1mA390pF @ 25V20nC @ 10V600V±20V7A4V7A0.62Ohm14A600V133 mJ无SVHCROHS3 Compliant无铅-------------------
MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-38 Weeks表面贴装表面贴装SC-89, SOT-4903SILICON830mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼-----增强型MOSFET-P-Channel-500m Ω @ 830mA, 4.5V1V @ 250μA135pF @ 10V3.1nC @ 4.5V-±8V830mA-700mV-----无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)Tin30mgPowerTrench®e3yesEAR99500MOhmSingle625mW3.5 ns2.9ns2.9 ns8V20V780μm1.7mm980μm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDY102PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3 | 对比 |
 | BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | 对比 |
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