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首页 全部分类 R6008FNJTL vs FDY3000NZ

R6008FNJTL备选型号: FDY3000NZ

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  • JESD-609代码
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  • 终端
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    R6008FNJTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    83
    SILICON
    8A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 1mA
    580pF @ 25V
    20nC @ 10V
    25ns
    600V
    ±30V
    30 ns
    8A
    30V
    8A
    0.95Ohm
    32A
    600V
    4.3 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY3000NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    FLAT
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    700m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.1nC @ 4.5V
    8ns
    -
    -
    8 ns
    600mA
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    32mg
    PowerTrench®
    e3
    yes
    SMD/SMT
    EAR99
    700MOhm
    Tin (Sn)
    ESD PROTECTION
    625mW
    2
    Dual
    625mW
    446mW
    1V
    20V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1 V
    700μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
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