R6009ENJTL备选型号: BSS127SSN-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 触点镀层
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 附加功能
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 9A LPT20 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装83SILICON40W Tc2016Cut Tape (CT)150°C TJ活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING535m Ω @ 2.8A, 10V4V @ 1mA430pF @ 25V23nC @ 10V600V±20V9A4V9A0.535Ohm18A600V153 mJROHS3 Compliant无SVHC-------------------
- MOSFET N-CH 600V 50MA SC5918 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装3SILICON50mA Ta2013Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼260-40--增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING160 Ω @ 16mA, 10V4.5V @ 250μA21.8pF @ 25V1.08nC @ 10V-±20V50mA-0.045A----ROHS3 Compliant无SVHCTin7.994566mge3yesEAR99HIGH RELIABILITY31Single1.25W5 ns7.2ns168 ns20V600V1.3mm3.1mm1.7mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | 对比 |



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