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首页 全部分类 R6009ENX vs STF11NM60ND

R6009ENX备选型号: STF11NM60ND

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
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  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    R6009ENX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 9A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    9A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    535m Ω @ 2.8A, 10V
    4V @ 1mA
    430pF @ 25V
    23nC @ 10V
    600V
    ±20V
    9A
    4V
    TO-220AB
    9A
    18A
    600V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF11NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    850pF @ 50V
    30nC @ 10V
    -
    ±25V
    10A
    4V
    TO-220AB
    -
    40A
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    FDmesh™ II
    EAR99
    STF11
    3
    Single
    90W
    16 ns
    7ns
    9 ns
    25V
    0.45Ohm
    600V
    200 mJ
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
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