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首页 全部分类 R6010ANX vs FDPF12N60NZ

R6010ANX备选型号: FDPF12N60NZ

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    R6010ANX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    10A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    50W
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    30ns
    ±30V
    30 ns
    10A
    TO-220AB
    30V
    0.56Ohm
    600V
    40A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF12N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    39W
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    110ns
    ±30V
    130 ns
    12A
    TO-220AB
    30V
    0.65Ohm
    600V
    48A
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    2.27g
    UniFET-II™
    e3
    yes
    EAR99
    Single
    650m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1676pF @ 25V
    34nC @ 10V
    565 mJ
    无铅
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