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首页 全部分类 R6011ENX vs STP18N60M2

R6011ENX备选型号: STP18N60M2

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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    R6011ENX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    11A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    390m Ω @ 3.8A, 10V
    4V @ 1mA
    670pF @ 25V
    32nC @ 10V
    600V
    ±20V
    11A
    4V
    TO-220AB
    22A
    600V
    210 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP18N60M2
    STMicroelectronics
    N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13A MOSFET in TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    791pF @ 100V
    21.5nC @ 10V
    600V
    ±25V
    13A
    -
    TO-220AB
    52A
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    MDmesh™ II Plus
    EAR99
    280mOhm
    STP18N
    1
    Single
    12 ns
    9ns
    10.6 ns
    25V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
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