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首页 全部分类 R6020ANX vs SPA20N60CFDXKSA1

R6020ANX备选型号: SPA20N60CFDXKSA1

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  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 资历状况
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    R6020ANX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    快速切换
    SINGLE
    260
    10
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    50W
    ISOLATED
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 10A, 10V
    4.5V @ 1mA
    2040pF @ 25V
    65nC @ 10V
    60ns
    ±30V
    70 ns
    20A
    TO-220AB
    30V
    0.22Ohm
    600V
    80A
    26.7 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA20N60CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - SPA20N60CFDXKSA1 - MOSFET, N, 600V, TO-220F
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    ISOLATED
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 13.1A, 10V
    5V @ 1mA
    2400pF @ 25V
    124nC @ 10V
    -
    ±20V
    6.4 ns
    20.7A
    TO-220AB
    20V
    0.22Ohm
    -
    52A
    690 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    CoolMOS™
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    不合格
    无卤素
    600V
    无铅
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