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首页 全部分类 R6020ENX vs STF24NM60N

R6020ENX备选型号: STF24NM60N

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    R6020ENX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    4V @ 1mA
    150 ns
    2014
    Bulk
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    196m Ω @ 10A, 10V
    1400pF @ 25V
    60nC @ 10V
    600V
    ±20V
    20A
    4V
    TO-220AB
    20V
    80A
    600V
    4.8mm
    10.3mm
    15.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF24NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
    16 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    4V @ 250μA
    17A Tc
    -
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    11.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8A, 10V
    1400pF @ 50V
    46nC @ 10V
    -
    ±30V
    17A
    3V
    TO-220AB
    30V
    68A
    -
    4.6mm
    10.4mm
    16.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    MDmesh™ II
    e3
    EAR99
    190MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF24
    30W
    16.5ns
    37 ns
    600V
    无
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