ROHM Semiconductor R6020ENX

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Turn Off Delay Time

150 ns

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

已出版

2014

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

196m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

600V

宽度

4.8mm

长度

10.3mm

高度

15.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅