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首页 全部分类 R6020KNX vs FCP165N60E

R6020KNX备选型号: FCP165N60E

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  • 阈值电压
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
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  • 生命周期状态
  • 底架
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ROHM Semiconductor
    R6020KNX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    196m Ω @ 9.5A, 10V
    5V @ 1mA
    1550pF @ 25V
    40nC @ 10V
    600V
    ±20V
    20A
    5V
    TO-220AB
    0.196Ohm
    60A
    600V
    418 mJ
    Schottky Diode (Isolated)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCP165N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew
    12 Weeks
    -
    TO-220
    -
    3
    -
    -
    -
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    600V
    -
    23A
    3.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    通孔
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.29.00.95
    227W
    Single
    2.434nF
    132mOhm
    165 mΩ
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