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R6020KNZC8备选型号: FQA24N60
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- 终止次数
- ECCN 代码
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 底架
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF15 Weeks通孔TO-3P-3 Full PackNO3SILICON20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015最后一次购买1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING196m Ω @ 9.5A, 10V5V @ 1mA1550pF @ 25V40nC @ 10V600V±20V20A5V0.196Ohm60A600V418 mJ无SVHCROHS3 Compliant---------------------
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 600V; 23.5A; 310W; TO3P9 Weeks通孔TO-3P-3, SC-65-3-3SILICON23.5A Tc-55°C~150°C TJTube2000活跃1 (Unlimited)3EAR99-未说明-未说明-增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING240m Ω @ 11.8A, 10V5V @ 250μA5500pF @ 25V145nC @ 10V-±30V23.5A5V0.24Ohm94A--无SVHCROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 6 days ago)通孔6.401gQFET®e3yesTin (Sn)600V23.5A不合格Single310W90 ns270ns170 ns30V600V18.9mm15.8mm5mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQA24N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | Transistor: unipolar, N-MOSFET; 600V; 23.5A; 310W; TO3P | 对比 |
 | FCP165N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 |
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