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R6024KNJTL备选型号: IPB60R165CPATMA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 系列
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS20 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON24A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2015活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 11.3A, 10V5V @ 1mA2000pF @ 25V45nC @ 10V600V±20V24A5V0.165Ohm72A600V497 mJ无SVHCROHS3 Compliant---------------
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-26340 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON21A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008不用于新设计1 (Unlimited)2-SINGLE鸥翼---R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 790μA2000pF @ 100V52nC @ 10V-±20V21A----522 mJ-ROHS3 Compliant表面贴装CoolMOS™no600V21A4192W12 ns无卤素5ns5 ns20V600V无含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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