R6024KNX备选型号: FDP18N50
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM18 Weeks通孔TO-220-3 Full PackNO3SILICON24A Tc-55°C~150°C TJBulk2015活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 11.3A, 10V5V @ 1mA2000pF @ 25V45nC @ 10V600V±20V24A5VTO-220AB0.165Ohm72A600V497 mJ无SVHCROHS3 Compliant------------------------
- Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube9 Weeks通孔TO-220-3-3SILICON18A Tc-55°C~150°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)3EAR99-----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING265m Ω @ 9A, 10V5V @ 250μA2860pF @ 25V60nC @ 10V-±30V18A5VTO-220AB---945 mJ无SVHCROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin通孔UniFET™e3yes265MOhm快速切换500V18A500VSingle18A235W55 ns165ns90 ns30V500V9.4mm10.1mm4.7mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCP125N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 | |
![]() | IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1 | 对比 |




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