R6024KNX备选型号: FDP18N50

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 11.3A, 10V
    5V @ 1mA
    2000pF @ 25V
    45nC @ 10V
    600V
    ±20V
    24A
    5V
    TO-220AB
    0.165Ohm
    72A
    600V
    497 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    9 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    265m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 250μA
    2860pF @ 25V
    60nC @ 10V
    -
    ±30V
    18A
    5V
    TO-220AB
    -
    -
    -
    945 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    通孔
    UniFET™
    e3
    yes
    265MOhm
    快速切换
    500V
    18A
    500V
    Single
    18A
    235W
    55 ns
    165ns
    90 ns
    30V
    500V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FCP125N60E FCP125N60E ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew 对比
IPAW60R190CEXKSA1 IPAW60R190CEXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1 对比