R6025ANZC8备选型号: IPW60R125P6XKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 无卤素
- 最大双电源电压
- MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF通孔通孔TO-3P-3 Full PackSILICON25A Tc150°C TJTube2009yes最后一次购买1 (Unlimited)3SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 12.5A, 10V4.5V @ 1mA3250pF @ 10V88nC @ 10V600V±20V25A0.15Ohm100A600V39 mJROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET N-CH 600V TO247-3通孔通孔TO-247-3SILICON30A Tc-55°C~150°C TJTube2008yes活跃1 (Unlimited)3SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING125m Ω @ 11.6A, 10V4.5V @ 960μA2660pF @ 100V56nC @ 10V-±20V30A0.125Ohm87A-636 mJROHS3 Compliant无铅18 WeeksCoolMOS™ P6e3Tin (Sn)无卤素600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |



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