R6025ANZC8备选型号: IPW60R125P6XKSA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    SILICON
    25A Tc
    150°C TJ
    Tube
    2009
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 12.5A, 10V
    4.5V @ 1mA
    3250pF @ 10V
    88nC @ 10V
    600V
    ±20V
    25A
    0.15Ohm
    100A
    600V
    39 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO247-3
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 11.6A, 10V
    4.5V @ 960μA
    2660pF @ 100V
    56nC @ 10V
    -
    ±20V
    30A
    0.125Ohm
    87A
    -
    636 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    CoolMOS™ P6
    e3
    Tin (Sn)
    无卤素
    600V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V TO247-3 对比