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RCJ120N20TL备选型号: FDY302NZ
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 200V 12A LPT20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB83SILICON12A Tc150°C TJCut Tape (CT)2012活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING325m Ω @ 6A, 10V5.25V @ 1mA740pF @ 25V15nC @ 10V200V±30V12A0.325Ohm48A200V11.6 mJROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench8 Weeks表面贴装表面贴装SC-89, SOT-4903SILICON600mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017活跃1 (Unlimited)3EAR99DUALFLAT-----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING300m Ω @ 600mA, 4.5V1.5V @ 250μA60pF @ 10V1.1nC @ 4.5V-±12V600mA----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tin30mgPowerTrench®e3yesSingle625mW6 ns8ns2.4 ns12V0.6A20V780μm1.7mm980μm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN100-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - DMN100-7-F - MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 30 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | FDG6316P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ON SEMICONDUCTOR - FDG6316P - Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Surface Mount | 对比 |
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