ON Semiconductor FDY302NZ
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FDY302NZ
1807-FDY302NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-89, SOT-490
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MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench
--最小包装量--
FDY302NZ详情
ON Semiconductor FDY302NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
600mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
625mW Ta
Turn Off Delay Time
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
625mW
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
300m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
60pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.1nC @ 4.5V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
2.4 ns
连续放电电流(ID)
600mA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.6A
漏源击穿电压
20V
高度
780μm
长度
1.7mm
宽度
980μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDY302NZ拓展信息
ON Semiconductor
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