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首页 全部分类 RCJ200N20TL vs FDG315N

RCJ200N20TL备选型号: FDG315N

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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RCJ200N20TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 20A LPTS
    13 Weeks
    表面贴装
    SC
    83
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.56W
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    200V
    N-CHANNEL
    20A
    70A
    0.0427Ohm
    140A
    1.9nF
    396 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    130 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG315N
    ON Semiconductor
    MOSFET SC70-6 N-CH 30V
    10 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    -
    -
    2A
    2A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    28mg
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    e3
    yes
    SMD/SMT
    120MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    2A
    Single
    750mW
    3 ns
    N-Channel
    120m Ω @ 2A, 10V
    3V @ 250μA
    220pF @ 15V
    4nC @ 5V
    11ns
    ±20V
    11 ns
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    1.8 V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
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