ON Semiconductor FDG332PZ
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FDG332PZ
1807-FDG332PZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
--最小包装量--
FDG332PZ详情
ON Semiconductor FDG332PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
28mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
750mW Ta
Turn Off Delay Time
59 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
95MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
750mW
接通延迟时间
5.2 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
95m Ω @ 2.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
560pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.8nC @ 4.5V
上升时间
4.8ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
4.8 ns
连续放电电流(ID)
2.6A
阈值电压
-700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDG332PZ拓展信息
ON Semiconductor
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