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首页 全部分类 RE1C001UNTCL vs MCH3376-TL-W

RE1C001UNTCL备选型号: MCH3376-TL-W

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源击穿电压
  • ROHM Semiconductor
    RE1C001UNTCL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    SILICON
    100mA Ta
    1V @ 100μA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    1
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 100mA, 4.5V
    7.1pF @ 10V
    4ns
    20V
    ±8V
    38 ns
    100mA
    8V
    4.2Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3376-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET PCH 1.8VDRIVE SERIES
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    800mW Ta
    1.4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    5.3 ns
    P-Channel
    -
    241m Ω @ 750mA, 4.5V
    120pF @ 10V
    9.7ns
    20V
    ±10V
    14 ns
    1.5A
    10V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    yes
    1.7nC @ 4.5V
    -20V
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MCH3376-TL-W MCH3376-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-SMD, Flat Lead MOSFET PCH 1.8VDRIVE SERIES 对比