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首页 全部分类 RF071M2STR vs SBR160S23-7

RF071M2STR备选型号: SBR160S23-7

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  • 正向电流
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  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 输出电流-最大值
  • 电容@Vr, F
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    RF071M2STR
    ROHM Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOD-123F
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    200V
    DUAL
    FLAT
    1A
    RF071M2S
    2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    700mA
    850mV @ 700mA
    700mA
    150°C Max
    15A
    850mV
    200V
    700mA
    25 ns
    10μA
    200V
    15A
    200V
    15A
    25 ns
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    SBR160S23-7
    Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    150°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    SBR160S23
    3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    100μA @ 45V
    -
    530mV @ 750mA
    1.6A
    -65°C~150°C
    -
    740mV
    60V
    900mA
    16 ns
    100μA
    60V
    15A
    -
    15A
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7.994566mg
    SBR®
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    260
    40
    0.9A
    19pF @ 25V 1MHz
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
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SBR160S23-7 SBR160S23-7 Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 单 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3 对比