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首页 全部分类 RF4E070GNTR vs DMN3025LSS-13

RF4E070GNTR备选型号: DMN3025LSS-13

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  • 元素配置
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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RF4E070GNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
    20 Weeks
    8-PowerUDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    16.5 ns
    2013
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    260
    10
    S-PDSO-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    21.4m Ω @ 7A, 10V
    2.5V @ 250μA
    220pF @ 15V
    4.8nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    2.8 ns
    7A
    20V
    7A
    0.03Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3025LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
    7 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    7.2A Ta
    2013
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    260
    30
    -
    1
    -
    -
    -
    3.3 ns
    N-Channel
    -
    20m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    641pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    4.4ns
    ±20V
    5.3 ns
    7.2A
    20V
    -
    -
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    73.992255mg
    e3
    Matte Tin (Sn)
    Single
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
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