您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 RF4E075ATTCR vs IRF8313PBF

RF4E075ATTCR备选型号: IRF8313PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 功率 - 最大
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RF4E075ATTCR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    7.5A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    21.7m Ω @ 7.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1000pF @ 15V
    22nC @ 10V
    30V
    ±20V
    7.5A
    0.0317Ohm
    30A
    30V
    10.6 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    SILICON
    9.7A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    90nC @ 4.5V
    30V
    -
    -
    0.0155Ohm
    81A
    30V
    46 mJ
    ROHS3 Compliant
    YES
    e3
    Matte Tin (Sn)
    IRF8313PBF
    不合格
    2W
    MS-012AA
    9.7A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2W
    逻辑电平门
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 对比
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 In a Pack of 20, N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC8878 对比
IRF8313PBF IRF8313PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 对比