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首页 全部分类 RF4E080BNTR vs IRF8313PBF

RF4E080BNTR备选型号: IRF8313PBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RF4E080BNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    260
    10
    S-PDSO-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.6m Ω @ 8A, 10V
    2V @ 250μA
    660pF @ 15V
    14.5nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    7 ns
    8A
    20V
    8A
    0.0246Ohm
    30V
    32A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    SILICON
    9.7A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G8
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    90nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    9.7A
    0.0155Ohm
    -
    81A
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    e3
    Matte Tin (Sn)
    IRF8313PBF
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    2W
    30V
    MS-012AA
    30V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2W
    逻辑电平门
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