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首页 全部分类 RF4E080BNTR vs IRFHM8342TRPBF

RF4E080BNTR备选型号: IRFHM8342TRPBF

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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RF4E080BNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    260
    10
    S-PDSO-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.6m Ω @ 8A, 10V
    2V @ 250μA
    660pF @ 15V
    14.5nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    7 ns
    8A
    20V
    8A
    0.0246Ohm
    30V
    32A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    S-PDSO-F5
    1
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 17A, 10V
    2.35V @ 25μA
    560pF @ 25V
    7.5nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    5.6 ns
    10A
    20V
    20A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    13mOhm
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    1.8V
    30V
    无SVHC
    无
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