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RFD14N05备选型号: NTD18N06-001
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引线长度
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON14A Tc-55°C~175°C TJTube2002e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99100mOhmTin (Sn)50V14A9.65mmSingle增强型MOSFET48WDRAINN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 14A, 10V4V @ 250μA570pF @ 25V40nC @ 20V26ns±20V17 ns14A4V20V50V无SVHC无符合RoHS标准无铅
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA--18A Ta-55°C~175°C TJTube2006--Obsolete1 (Unlimited)----60V18A-Single-55W-N-Channel-60m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA710pF @ 25V30nC @ 10V23ns±20V20 ns18A-20V60V--Non-RoHS Compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD18N06-001 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | 对比 |
 | IRFU5505PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK | 对比 |
| RFD14N05L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Transistor RFD14N05L Power MOSFET N-Channel 50 Volt 14 Amp TO-251AA | 对比 |
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