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首页 全部分类 RFD16N05SM vs HUFA75321D3ST

RFD16N05SM备选型号: HUFA75321D3ST

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  • 包装/外壳
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 包装
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  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • HTS代码
  • 接通延迟时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    RFD16N05SM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    72W Tc
    Tube
    2003
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    50V
    鸥翼
    未说明
    16A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    72W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    47m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    900pF @ 25V
    80nC @ 20V
    30ns
    ±20V
    30 ns
    16A
    TO-252AA
    20V
    0.047Ohm
    50V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUFA75321D3ST
    ON Semiconductor
    MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    20A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    55V
    鸥翼
    -
    20A
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    93W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    680pF @ 25V
    44nC @ 20V
    55ns
    ±20V
    66 ns
    20A
    TO-252AA
    20V
    -
    55V
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    260.37mg
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
    8541.29.00.95
    11 ns
    无
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