RFD3055备选型号: NTD18N06-001

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2002
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    60V
    鸥翼
    未说明
    12A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    53W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    300pF @ 25V
    23nC @ 20V
    21ns
    ±20V
    10 ns
    12A
    TO-252AA
    20V
    11A
    0.107Ohm
    60V
    符合RoHS标准
    无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    18A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    60V
    -
    -
    18A
    -
    -
    -
    Single
    -
    55W
    -
    N-Channel
    -
    60m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    710pF @ 25V
    30nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    20 ns
    18A
    -
    20V
    -
    -
    60V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
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