RFP14N05L备选型号: IRFZ24NPBF

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 螺纹距离
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    14A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50V
    14A
    Single
    48W
    N-Channel
    100m Ω @ 14A, 5V
    2V @ 250μA
    670pF @ 25V
    40nC @ 10V
    24ns
    ±10V
    16 ns
    14A
    10V
    50V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Transistor MOSFET N Channel 55 Volt 17 Amp 3 Pin 3 Tab TO-220 AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    55V
    17A
    Single
    45W
    N-Channel
    70m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    370pF @ 25V
    20nC @ 10V
    34ns
    ±20V
    27 ns
    17A
    20V
    55V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    HEXFET®
    3
    通孔
    EAR99
    70mOhm
    雪崩 额定
    2.54mm
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.9 ns
    SWITCHING
    2V
    TO-220AB
    68A
    55V
    175°C
    4 V
    19.8mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
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