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首页 全部分类 RFP50N06 vs IRFZ46NPBF

RFP50N06备选型号: IRFZ46NPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 系列
  • 终端
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 螺纹距离
  • 电压
  • 电流
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    RFP50N06
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    9 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    1.8g
    SILICON
    50A Tc
    2002
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    22mOhm
    60V
    50A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    131W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    2020pF @ 25V
    150nC @ 20V
    55ns
    ±20V
    13 ns
    50A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    9.4mm
    4.83mm
    10.67mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ46NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
    12 Weeks
    -
    Tin
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    53A Tc
    2002
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    55V
    53A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16.5m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    1696pF @ 25V
    72nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    57 ns
    53A
    4V
    TO-220AB
    20V
    55V
    8.77mm
    4.69mm
    10.54mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    HEXFET®
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    250
    30
    不合格
    2.54mm
    55V
    40A
    55V
    101 ns
    4 V
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