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首页 全部分类 RGT40NS65DGTL vs IRG4BC30FD-SPBF

RGT40NS65DGTL备选型号: IRG4BC30FD-SPBF

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  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RGT40NS65DGTL
    ROHM Semiconductor
    IGBT 650V 40A 161W TO-263S
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.946308g
    SILICON
    650V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    161W
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    161W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    40A
    58 ns
    650V
    51 ns
    2.1V @ 15V, 20A
    20A
    204 ns
    沟渠现场停车
    40nC
    60A
    22ns/75ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30FD-SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W D2PAK
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    SILICON
    480V, 17A, 23 Ω, 15V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    100W
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    31A
    42 ns
    -
    69 ns
    1.8V @ 15V, 17A
    -
    620 ns
    -
    51nC
    124A
    42ns/230ns
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    600V
    31A
    100W
    27ns
    630μJ (on), 1.39mJ (off)
    20V
    6V
    9.652mm
    10.668mm
    4.699mm
    无
    无铅
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