RGT40NS65DGTL备选型号: STGB15M65DF2
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 基本部件号
- 开关能量
- IGBT 650V 40A 161W TO-263S17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308gSILICON650V1.65V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)2EAR99161W鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard161W电源控制N-CHANNEL650V40A58 ns650V51 ns2.1V @ 15V, 20A20A204 ns沟渠现场停车40nC60A22ns/75nsUnknownROHS3 Compliant---
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB---650V--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)-EAR99136W-未说明-未说明---Standard136W--2V30A142 ns650V-2V @ 15V, 15A--沟渠现场停车45nC60A24ns/93ns-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)STGB1590μJ (on), 450μJ (off)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS4620DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 32A 140W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | 对比 |
![]() | IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | 对比 |




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