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首页 全部分类 RGT40TS65DGC11 vs IRG4PC30FDPBF

RGT40TS65DGC11备选型号: IRG4PC30FDPBF

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
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  • 上升时间
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RGT40TS65DGC11
    ROHM Semiconductor
    IGBT 650V 40A 144W TO-247N
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    650V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    144W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    144W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    40A
    58 ns
    51 ns
    2.1V @ 15V, 20A
    20A
    204 ns
    沟渠现场停车
    40nC
    60A
    22ns/75ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PC30FDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    1
    1.99V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    100W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    31A
    42 ns
    69 ns
    1.8V @ 15V, 17A
    31A
    620 ns
    -
    51nC
    120A
    42ns/230ns
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    FAST SWITCHING, ULTRA FAST SOFT RECOVERY
    600V
    31A
    100W
    COLLECTOR
    42 ns
    26ns
    TO-247AC
    150°C
    630μJ (on), 1.39mJ (off)
    20V
    6V
    15.875mm
    24.99mm
    5.3mm
    无
    Contains Lead, Lead Free
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