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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥26.669647
10
¥25.160044
100
¥23.735894
500
¥22.392351
1000
¥21.12486
STMicroelectronics STGW30H65FB
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- 对比
STGW30H65FB
2381-STGW30H65FB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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HB Series 650 V 30 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGW30H65FB详情
STMicroelectronics STGW30H65FB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
质量
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75V
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
260W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGW30
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
260W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
30A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
149nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
37ns/146ns
开关能量
151μJ (on), 293μJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW30H65FB拓展信息
STMicroelectronics
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