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首页 全部分类 RGT60TS65DGC11 vs IRGP6630D-EPBF

RGT60TS65DGC11备选型号: IRGP6630D-EPBF

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  • 反向恢复时间
  • 接通时间
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  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 开关能量
  • ROHM Semiconductor
    RGT60TS65DGC11
    ROHM Semiconductor
    IGBT 650V 55A 194W TO-247N
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    650V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    194W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    194W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    55A
    58 ns
    70 ns
    2.1V @ 15V, 30A
    30A
    218 ns
    沟渠现场停车
    58nC
    90A
    29ns/100ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP6630D-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 30A TO247AD
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    -
    600V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    192W
    -
    -
    Single
    Standard
    192W
    -
    -
    1.95V
    47A
    70 ns
    -
    1.95V @ 15V, 18A
    -
    -
    -
    30nC
    54A
    40ns/95ns
    -
    符合RoHS标准
    75μJ (on), 350μJ (off)
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