Infineon Technologies IRGP6630D-EPBF
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IRGP6630D-EPBF
1211-IRGP6630D-EPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 600V 30A TO247AD
1最小包装量--
IRGP6630D-EPBF详情
Infineon Technologies IRGP6630D-EPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.500007g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65V
Test Conditions
400V, 18A, 22 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
192W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
192W
集电极发射器电压(VCEO)
1.95V
最大集电极电流
47A
反向恢复时间
70 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 18A
闸门收费
30nC
集极脉冲电流(Icm)
54A
Td(开/关)@25°C
40ns/95ns
开关能量
75μJ (on), 350μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
IRGP6630D-EPBF拓展信息
Infineon Technologies
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