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首页 全部分类 RGT80TS65DGC11 vs IKW50N65H5FKSA1

RGT80TS65DGC11备选型号: IKW50N65H5FKSA1

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 开关能量
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RGT80TS65DGC11
    ROHM Semiconductor
    IGBT 650V 70A 234W TO-247N
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    650V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    234W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    234W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    70A
    58 ns
    90 ns
    2.1V @ 15V, 40A
    40A
    206 ns
    沟渠现场停车
    79nC
    120A
    34ns/119ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKW50N65H5FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    650V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    305W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    -
    -
    -
    1.65V
    80A
    57 ns
    -
    2.1V @ 15V, 50A
    -
    -
    -
    120nC
    150A
    21ns/180ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    TrenchStop®
    e3
    Tin (Sn)
    305W
    520μJ (on), 180μJ (off)
    无铅
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